当N型光伏电池技术成为高效光伏电池技术新的主流方向，高品质、低成本亦成为行业发展的核心驱动力。更高效率的单晶硅片需求引领着行业对硅片制造的新要求：

　　大功率、大尺寸已经是光伏组件不可逆转的趋势。更大的电池意味着更大的硅片，连城数控受限需要重新定义更大的单晶硅生长平台。

　　连城数控融合了多年在光伏及半导体领域的先进技术优势，继2019行业首创KX380PV主流机型后做出了又一次跨时代创新，2022率先推出大尺寸单晶硅生长平台 - KX420PV，尺寸达到1700！。

　　■ 跨时代产品 连城凯克斯KX420PV重磅来袭。通过有限元分析结合实验设计，KX420PV具备更优的机械结构，确保了设备稳定性和运行精度，长期运行故障率更低，适应更高自动化要求。

　　由于N型单晶硅片光电转换效率对氧杂质含量尤为敏感，在更高品质长晶工艺的探索上连城数控从未停止步伐。外加磁场的引入可有效抑制硅熔体热对流，降低氧的形成和传输，从而降低晶体中的氧含量，同时目前连城数控已深度掌握磁场模块（永磁场、勾型磁场及水平磁场、超导磁场）用于光伏单晶生长的一系列方案。

　　应对P&N型低氧单晶硅片的市场需求，连城数控此次推出的 KX420PV 是天生的“降氧能手”，为帮助客户提高市场竞争力，加速投资回收周期而生。

　　为了抑制氧元素的产生和输送，最大程度带走氧杂质，设备需要长期保持低炉压、大氩气流量和高功率抽速工况。KX420PV全新设计的氩气吹扫方案、大尺寸排气管道及低流阻设计，匹配大抽速真空干泵和可升降式加热器，可快速带走挥发的氧化物。

　　连城数控自研的“一键拉晶”系统可进一步提高设备自动化程度和运行效率以确保硅单晶的产能，同时减少人员需求，降低劳动强度和技能依赖。

　　■设备可全自动完成复投、化料、放埚位，从复投到预热熔接的全过程将不再依赖人工干预，复投过程减少人为接触几乎没有外界杂质的二次引入。

　　■ 在视觉功能和逻辑算法的加持下拉晶过程的调温-引晶-放肩-转肩-等径-收尾一气呵成，配合集控可高效完成批量一致化生产，低氧长晶保质不减产。

　　■ KX420PV最大可兼容至42吋热场，满足更大投料量、更大规格晶棒的生产需求。设备预留的可升级模块如停炉冷却装置、在线自清洁机构、可升降加热器、双CCD方案，技术升级性价比高，有效兼容更长周期的单晶制造技术变革。

　　■设备运行安全更有保障，尤其是当行业需要更大的投料量和更长的运行时长。KX420PV配置了氩气防窒息装置和漏硅防溢流设计，将设备全生命周期的运行风险降至最低，员工安心企业用户更放心。

　　而连城数控自研的控制软件和机械设计，不仅确保了水冷热屏与坩埚提升的传动更精确、更安全，配合视觉及重量液口距双重保护和双重限位设计，更确保了水冷热屏与硅熔液不接触。

　　连城数控始终紧盯行业发展风向，致力于为行业发展的每一个痛点、难点并提供超前可靠的解决方案。目前已经完成磁场在光伏RCz工艺单晶生长中的引入与运用，并致力开发第五代MCCz晶体生长装备及工艺技术。

　　连城数控整合半导体磁场长晶的优势技术储备叠加最新自研的CCz连续直拉单晶技术的终极集成方案，该方案在未来或将是更高品质、更高一致性的单晶生产制造颠覆性解决方案。

　　而MCCz单晶生长工艺通过晶体生长过程中施加一定场强的磁场不仅能达到显著降氧作用，同时能增加熔体的黏滞性提高有效偏析系数。磁场在抑制熔体中的热对流、减少固液界面温度波动、抑制单晶中生长条纹、降低氧浓度及提高杂质径向分布均匀性等方面作用均十分有效，能显著减少晶体中微缺陷的产生大幅度提高晶体品质。

　　■ CCz单晶生长技术，在晶体生长过程中通过连续加料、持续补充熔体使熔体重量控制在极低的范围并始终保持埚重与液口距恒定；无反复的二次加料/高温融化环节坩埚使用寿命提高30%以上，同时规避了超大热场、超高投料量的巨大溢流安全风险。

　　■ 晶棒长度不再受坩埚尺寸（即单次投料量）、掺杂元素分凝系数特性的局限，生长的晶体杂质分布均一且电化学品质更好。生产效率更高，生产成本更低，与行业未来高质低价的市场导向和N型高效电池技术的发展路径完美契合。

　　连城数控研发的第五代硅单晶生长技术-MCCz在技术层面已满足未来行业变革需求，并将不断的优化改良向未来市场推广，届时行业或将迎来又一次重大技术革新。

　　目前连城凯克斯KX420PV在手订单已有3000余台，并持续稳定出货中。未来凯克斯光伏单晶炉将全系搭载自研集控系统和BI大数据分析平台，帮助客户更高效的进行工艺开发，实现更高成功率的批量化长晶控制和更高效的设备管理系统，持续向客户提供更可靠、更加创新、更加增值的产品及服务。